[发明专利]氟气生成装置无效
申请号: | 201080014703.X | 申请日: | 2010-03-04 |
公开(公告)号: | CN102369314A | 公开(公告)日: | 2012-03-07 |
发明(设计)人: | 毛利勇;八尾章史;宫崎达夫 | 申请(专利权)人: | 中央硝子株式会社 |
主分类号: | C25B15/08 | 分类号: | C25B15/08;C25B1/24;C25B9/00 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种氟气生成装置,其通过电解熔融盐中的氟化氢从而生成氟气,其包括:电解槽,其存储有熔融盐,在熔融盐液面上分离而区划有第1气室和第2气室,该第1气室用于引导在浸渍于熔融盐中的阳极处生成的以氟气作为主成分的主生成气体,该第2气室用于引导在浸渍于熔融盐中的阴极处生成的以氢气作为主成分的副生成气体;原料供给通路,其与电解槽相连接且用于向熔融盐引导氟化氢;载气供给通路,其与原料供给通路相连接且用于将载气引导到原料供给通路,该载气用于将氟化氢引导到熔融盐中,作为载气,使用在电解槽的阳极处生成的氟气或者在阴极处生成的氢气。 | ||
搜索关键词: | 氟气 生成 装置 | ||
【主权项】:
一种氟气生成装置,其通过电解熔融盐中的氟化氢来生成氟气,其中,该氟气生成装置包括:电解槽,其存储有熔融盐,在熔融盐液面上分离而区划有第1气室和第2气室,该第1气室用于引导在浸渍于熔融盐中的阳极处生成的以氟气作为主成分的主生成气体,该第2气室用于引导在浸渍于熔融盐中的阴极处生成的以氢气作为主成分的副生成气体;原料供给通路,其与上述电解槽相连接,用于向熔融盐中引导氟化氢;载气供给通路,其与上述原料供给通路相连接,且用于将载气引导到上述原料供给通路中,该载气用于将氟化氢引导到熔融盐中,作为载气,使用在上述电解槽的上述阳极处生成的氟气或者在上述阴极处生成的氢气。
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