[发明专利]从晶体材料的非极性平面形成的器件及其制作方法有效
| 申请号： | 201080015035.2 | 申请日： | 2010-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN102379046A | 公开（公告）日： | 2012-03-14 |
| 发明（设计）人： | 安东尼·J·罗特费尔德 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/12 | 分类号： | H01L31/12 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 郝新慧;张浴月 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 包括同样内容的材料、方法、结构以及器件可通过使用一有源区来提供例如发光二极管的半导体器件，其中该有源区对应于III-N半导体晶体材料的非极性面或非极性表面。在一些实施例中，有源二极管区包含多于朝向极性平面的III-N半导体材料的朝向非极性平面的III-N半导体材料。在另一些实施例中，底部区包含比面对有源区的极性c-平面氮化镓的表面面积更大的非极性m-平面或a-平面氮化镓的表面面积。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体 材料 极性 平面 形成 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种二极管的制作方法，包括：形成一第一包覆层，其中该第一包覆层包括一个或多个极性晶体材料的鳍，且其中该一个或多个鳍的主要面为非极性的；在该主要面的一个或多个面上方形成一有源区；以及形成相邻于该有源区的一第二包覆层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201080015035.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
