[发明专利]半导体装置和使用所述半导体装置的太阳能电池有效
| 申请号： | 201080015250.2 | 申请日： | 2010-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN102388460A | 公开（公告）日： | 2012-03-21 |
| 发明（设计）人： | 裕谷重德 | 申请（专利权）人： | 富士胶片株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/042 | 分类号： | H01L31/042 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 陈平 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体装置，所述半导体装置使用带有阳极氧化膜充当绝缘层的绝缘化金属基板，其提供有绝缘层的高耐受电位和降低的漏电流变化，从而提供了良好的绝缘特性。该半导体装置包括：绝缘化金属基板(10)上的半导体电路，所述绝缘化金属基板(10)包含形成在Al基板(11)的至少一侧上的阳极氧化膜(12)，其中当半导体电路运行时，Al基板(11)的电位高于半导体电路的平均电位。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 使用 太阳能电池 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，所述半导体装置包括：绝缘化金属基板上的半导体电路，所述绝缘化金属基板包括形成在Al基板的至少一侧上的阳极氧化膜，其中所述Al基板连接至所述半导体电路中具有比所述半导体电路的平均电位高的电位的位置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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