[发明专利]补偿门极MISFET及其制造方法有效
| 申请号： | 201080015425.X | 申请日： | 2010-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN102365747A | 公开（公告）日： | 2012-02-29 |
| 发明（设计）人： | 亚力山大·利道;罗伯特·比奇;曹建军;阿兰娜·纳卡塔;赵广元 | 申请（专利权）人： | 宜普电源转换公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 臧建明 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种具有低门极泄漏的MISFET，诸如GaN晶体管。在一个实施例中，利用位于门极触点下方且在阻挡层上方的补偿GaN层减少门极泄漏。在另一实施例中，通过采用在门极触点之下且在阻挡层之上的半绝缘层减少门极泄漏。 | ||
| 搜索关键词： | 补偿 misfet 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种III族氮化物晶体管，包括：基底，位于该基底上的一组III‑N (III族氮化物)过渡层，位于该组过渡层上的III‑N缓冲层，III‑N阻挡层，以及位于该阻挡层上的补偿III‑N层。
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