[发明专利]异质结氧化物非易失性存储器装置有效
| 申请号： | 201080015470.5 | 申请日： | 2010-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN102365746A | 公开（公告）日： | 2012-02-29 |
| 发明（设计）人： | 东敏·陈 | 申请（专利权）人： | 4D-S有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/12 | 分类号： | H01L29/12;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 周靖;郑霞 |
| 地址： | 澳大利亚西*** | 国省代码： | 澳大利亚;AU |
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| 摘要： | 公开了一种存储器装置。该存储器装置包括第一金属层和耦合到第一金属层的第一金属氧化物层。该存储器装置包括耦合到第一金属氧化物层的第二金属氧化物层和耦合到第二金属氧化物层的第二金属层。第一金属氧化物层的形成的吉布斯自由能低于第二金属氧化物层的形成的吉布斯自由能。 | ||
| 搜索关键词： | 异质结 氧化物 非易失性存储器 装置 | ||
【主权项】：
一种存储器装置，其包括：第一金属层；耦合到所述第一金属层的第一金属氧化物层；耦合到所述第一金属氧化物层的第二金属氧化物层；耦合到所述第二金属氧化物层的第二金属层；其中，所述第一金属氧化物层的形成的吉布斯自由能低于所述第二金属氧化物层的形成的吉布斯自由能。
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