[发明专利]增强光和/或激光烧结的缓冲层有效
| 申请号： | 201080015842.4 | 申请日： | 2010-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN102365713A | 公开（公告）日： | 2012-02-29 |
| 发明（设计）人： | Z·雅尼弗;M·杨;P·B·莱克斯顿 | 申请（专利权）人： | 应用纳米技术控股股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/223 | 分类号： | H01L21/223 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 钱孟清 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在基板上沉积导线以产生用于在电子元件之间导电的迹线。在基板上形成图案化金属层，并且随后在图案化金属层和基板上涂敷具有低热导率的材料层。穿过具有低热导率的材料层形成通孔，由此露出图案化金属层的多个部分。导电墨膜随后被涂敷在具有低热导率的材料层上并进入通孔以由此涂敷图案化金属层的多个部分，并且随后被烧结。涂敷在图案化金属层的部分上的导电墨膜从烧结吸收的能量不如涂敷在具有低热导率的材料层上的导电墨膜所吸收的多。具有低热导率的材料层可以是聚合物，诸如聚酰亚胺。 | ||
| 搜索关键词： | 增强 光和 激光 烧结 缓冲 | ||
【主权项】：
一种用于在基板上沉积导线的方法，包括：在所述基板上以图案沉积金属层；在图案化金属层和所述基板上涂敷具有低热导率的材料层；在具有所述低热导率的材料层上沉积导电墨膜；以及烧结所述导电墨膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
