[发明专利]直通衬底通孔

摘要

在基本上所有的用于形成接近于衬底晶片(20、20’)的前表面(23)的第一厚度(27)的设备区域(26)所需的高温操作之后，提供直通衬底通孔(TSV)，通过以下步骤来实现：(i)形成前表面(23)，形成包含第一导体(36、36’)的第一纵横比的相对较浅的通孔(30、30’)，其优选地延伸通过第一厚度(27)但是不通过初始晶片(20)厚度(21)；(ii)从后表面(22)移除材料(22”)，以形成具有新的后表面(22’)的更小最终厚度(21’)的修改晶片(20’)；和(iii)从新的后表面(22’)形成其中具有接触第一导体(36、36’)的第二导体(56、56’)的设备区域(26)之下的第二纵横比的更深的通孔(40、40’)，由此提供前到后的互连，而基本不会影响制造期间的晶片鲁棒性和设备区域面积。两个纵横比都期望大约为＜40，有用地为＜10，并且优选地为＜5。

主权项

一种用于形成直通衬底通孔(TSV)连接的方法，包括：提供第一厚度的衬底晶片，其具有前表面和相对的后表面，并且其中前表面半导体设备已经形成在接近前表面的厚度的设备区域中；形成包含第一半导体并且从所述前表面延伸到所述设备区域中或通过所述设备区域但不通过所述衬底晶片的第一通孔；从所述衬底晶片的所述后表面移除材料，以形成减少厚度的并且具有新暴露的后表面的变薄的衬底晶片；形成从新暴露的后表面向内延伸的第二通孔，以便拦截一个或多个第一导体；以及在所述第二通孔中沉淀使得与一个或多个第一导体电接触的传导性衬料，由此提供从所述前表面到新暴露的后表面的电或热连续性或者两者。