[发明专利]半导体发光二极管及其制造方法有效
| 申请号： | 201080016159.2 | 申请日： | 2010-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN102388470A | 公开（公告）日： | 2012-03-21 |
| 发明（设计）人： | 中野雅之;十川博行;山田秀高 | 申请（专利权）人： | 同和电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供了如下的半导体发光二极管及其制造方法，即：通过将作为光提取侧的电极部的上电极部和与该上电极部成对的中间电极部设置成具有适当的位置关系，在维持相对低的正向电压的同时提高了光输出功率。该半导体发光二极管包括：支承基板；顺次配置在支承基板的上表面侧的包括中间电极部的中间层、第二导电半导体层、活性层、第一导电半导体层和上电极部；以及设置在支承基板的下表面侧的下电极层。其中，中间层具有呈线状或岛状延伸的至少一个中间电极部。在通过将上电极部和中间电极部分别投影到与支承基板的上表面平行的假想平面上所获得的视图中，上电极部和中间电极部具有如下的位置关系，即上电极部和中间电极部相互平行且彼此错开，并且上电极部和中间电极部之间的距离在10微米至50微米的范围内。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体发光二极管，包括：支承基板；顺次配置在所述支承基板的上表面侧的中间层、第二导电半导体层、活性层、第一导电半导体层和上电极部，其中所述中间层包括中间电极部；以及设置在所述支承基板的下表面侧的下电极层，其中，所述中间层包括呈线状或岛状延伸的至少一个中间电极部；以及所述上电极部和所述中间电极部被配置为具有如下的位置关系，即在通过将所述上电极部和所述中间电极部分别投影到与所述支承基板的上表面平行的假想平面上所获得的视图中，所述上电极部和所述中间电极部相互平行且彼此错开，并且所述上电极部和所述中间电极部之间的距离在10微米至50微米的范围内。
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