[发明专利]用于制造氧化物材料的基于溶液的非真空方法和设备无效
申请号: | 201080016329.7 | 申请日: | 2010-02-11 |
公开(公告)号: | CN102388437A | 公开(公告)日: | 2012-03-21 |
发明(设计)人: | S·刘;C·胡;Y·周;K·悠南;B·道特;V·坎尼拉;A·班纳吉;J·杨;S·谷哈 | 申请(专利权)人: | 联合太阳能奥佛有限公司 |
主分类号: | H01L21/288 | 分类号: | H01L21/288;H01L31/18 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人: | 赵蓉民;陆惠中 |
地址: | 美国密*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 以溶液沉积工艺将高品质高粘性金属氧材料如透明导电性氧化物材料层电沉积到基底上。通过使基底与多齿活化剂接触在金属氧材料电沉积于基底上前将基底活化,所述多齿活化剂促进金属氧材料与基底的粘合。活化剂的使用消除了通过真空沉积工艺将金属氧材料“种子”层预沉积到基底上的需要。控制工艺参数以便造成适用于高效光电装置背反射器结构的高品质材料层的沉积。在具体实例中,可以以连续卷对卷工艺实施所述活化方法。进一步公开的是通过本工艺制成的半导体装置和半导体装置的组件以及实施所述工艺的设备。 | ||
搜索关键词: | 用于 制造 氧化物 材料 基于 溶液 真空 方法 设备 | ||
【主权项】:
将金属氧材料层电镀到基底上的方法,其中所述基底布置在电解液中,与电极呈间隔关系,其中电源在供给能量时可操作来建立电流,通过所述电极、所述电解液和所述基底,从而使所述金属氧材料层沉积在所述基底上,其特征在于所述沉积工艺包括选自下列的至少两个步骤:在所述金属氧材料层正沉积到所述基底上时在至少部分时间内向所述电解液输入超声能量;在所述金属氧材料层正沉积时周期性地中断所述电极、所述电解液和所述基底间的电流;在所述金属氧材料层正沉积到所述基底上时保持所述基底呈防颗粒取向;使气体鼓泡穿过所述电解液;和在所述金属氧材料的第一部分正沉积在所述基底上的时间内使所述电源以第一水平供给能量,以便所述第一部分以第一沉积速率沉积,其后在所述层的第二部分正沉积到所述第一部分上的时间内使所述电源以第二水平供给能量,其中所述第二水平的功率被选择,以便所述第二部分的沉积速率小于所述第一部分的沉积速率。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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