[发明专利]用于适用于半导体制造的硅的坩埚有效
| 申请号： | 201080016907.7 | 申请日： | 2010-02-11 |
| 公开（公告）号： | CN102388169A | 公开（公告）日： | 2012-03-21 |
| 发明（设计）人： | R·瓦格纳;F·阿茨贝格尔 | 申请（专利权）人： | H.C.施塔克股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00;C30B29/06;C30B35/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 严志军;杨国治 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及用于制造坩埚的烧结块，坩埚用于制造适用于半导体制造的硅，其中，坩埚由多个构件构成并且具有至少一个不封闭的接合缝隙。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 适用于 半导体 制造 坩埚 | ||
【主权项】：
一种用于制造适用于半导体制造的硅的坩埚，其特征在于，所述坩埚由多个构件构成并且具有至少一个不封闭的接合缝隙。
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