[发明专利]使绝缘体上硅衬底减薄的方法

摘要

本发明涉及一种减薄初始绝缘体上硅SOI衬底的方法，该衬底包括掩埋于硅承载衬底(2)和硅表面层之间的二氧化硅SiO2层(3)。所述方法的特征在于其包括进行以下连续的步骤：对所述初始衬底进行热氧化处理以引起所述硅表面层的部分的氧化；第一周期、然后第二周期的蚀刻和清洗；执行第一周期的蚀刻从而充分地将所形成的热氧化物去除，并且清除所述初始衬底的边缘的所有的不稳定部分。执行第二周期的蚀刻从而从所述被减薄的衬底的表面上，去除形成且沉积于其上的污染粒子(5)，从而获得最终绝缘体上硅SOI衬底(1′)，其被减薄的表面层(4′)形成有源层。

主权项

一种减薄称之为“初始衬底”的绝缘体上硅衬底SOI(1)的方法，所述绝缘体上硅衬底SOI(1)包括掩埋于硅承载衬底(2)和硅表面层(4)之间的二氧化硅SiO2层(3)，所述方法的特征在于其包括进行以下连续的步骤：‑对所述初始衬底(1)进行热氧化处理以引起所述硅表面层(4)的部分(41)的氧化，‑第一周期的蚀刻然后清洗，‑第二周期的蚀刻然后清洗，执行第一周期的蚀刻从而充分的将所形成的热氧化物(41)去除，从而将所述硅表面层(4)减薄并且清除所述初始衬底(1)的边缘的所有的不稳定部分；执行第二周期的蚀刻从而从所述被减薄的衬底的表面上去除在所述第一蚀刻周期形成且沉积于所述被减薄的衬底的表面上的污染粒子(5)，从而获得所谓的“最终”绝缘体上硅SOI衬底(1′)，该最终绝缘体上硅SOI衬底(1′)的被减薄的表面层(4′)形成有源层。