[发明专利]LED基板处理有效
申请号: | 201080017237.0 | 申请日: | 2010-04-16 |
公开(公告)号: | CN102405513A | 公开(公告)日: | 2012-04-04 |
发明(设计)人: | 斯蒂芬·莫法特 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/324 | 分类号: | H01L21/324;H01L33/48 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;钟强 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明的实施例关于用于热处理基板的包括发光二极管(LEDs)的基板处理装置及方法。这种光源提供多种优点,包括效率较高且响应时间更快。脉冲宽度是可选择的,可下至少于一毫秒,但对于长脉冲而言可上至一秒和超过一秒。即便在允许较长处理时间的情况下,LEDs仍比钨-卤素灯更好,因为LEDs产生光的效率大于50%,而钨-卤素灯的运作效率小于5%。 | ||
搜索关键词: | led 处理 | ||
【主权项】:
一种基板处理系统,所述系统包括:多个发光二极管,所述多个发光二极管包括第一发光二极管与第二发光二极管,所述多个发光二极管加热半导体基板的第一表面到至少200℃;及其中所述第一发光二极管发射第一多个光脉冲能量而所述第二发光二极管发射第二多个光脉冲能量。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造