[发明专利]双重自对准金属氧化物TFT

摘要

本发明公开了在透明衬底上制造金属氧化物TFT的方法，包括以下步骤：在所述衬底的正面上布置不透明栅极金属区域，沉积覆盖所述栅极金属和周围区域的透明栅极电介质层和透明金属氧化物半导体层，在所述半导体材料上沉积透明钝化材料，在所述钝化材料上沉积光致抗蚀剂，曝光和显影所述光致抗蚀剂以除去被曝光部分，蚀刻所述钝化材料以留下界定沟道区域的钝化区域，在所述钝化区域上方沉积透明导电材料，在导电材料上方沉积光致抗蚀剂，曝光和显影所述光致抗蚀剂以除去未曝光的部分，和蚀刻所述导电材料以在沟道区域的相对侧上留下源极区域和漏极区域。

主权项

在透明衬底上制造金属氧化物TFT的方法，包括以下步骤：提供具有正面和背面的透明衬底；在衬底的正面上布置不透明栅极金属，以界定TFT的栅极区域；在衬底的正面上沉积覆盖栅极金属和周围区域的透明栅极电介质层，并在透明栅极电介质层的表面上沉积透明金属氧化物半导体材料层；在金属氧化物半导体材料层上沉积钝化材料层；从衬底的背面将部分钝化材料层曝光，并除去钝化材料层的被曝光部分，留下覆盖栅极区域并界定TFT的沟道区域的钝化区域；和利用对从衬底的背面曝光是不透明的栅极金属作为掩模，在金属氧化物半导体材料层上沉积导电材料，以在沟道区域的相对侧上形成源极区域和漏极区域。