[发明专利]使用处理腔室壁上的硅涂层增强清除残余的氟自由基的方法有效
| 申请号： | 201080017514.8 | 申请日： | 2010-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN102405511A | 公开（公告）日： | 2012-04-04 |
| 发明（设计）人： | 崔东元;李东亨;采·蓬;麦诺基·韦列卡;彼得·波尔什涅夫;马耶德·福阿德 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;钟强 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本文提供用以处理基板的方法与装置。在一些实施例中，一种用于基板处理的装置包括处理腔室以及含硅涂层，所述处理腔室具有腔室主体，所述腔室主体限定内部空间，所述含硅涂层设置在所述腔室主体的内表面上，所述含硅涂层的外表面为至少35％原子数的硅。在一些实施例中，一种用以在处理腔室中形成含硅涂层的方法包括：将包含含硅气体的第一工艺气体提供到所述处理腔室的内部空间；以及在所述处理腔室的内表面上形成含硅涂层，其中所述含硅涂层的外表面为至少35％的硅。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 处理 壁上 涂层 增强 清除 残余 自由基 方法 | ||
【主权项】：
一种用于基板处理的装置，所述装置包括：处理腔室，所述处理腔室具有腔室主体，所述腔室主体限定内部空间；以及含硅涂层，所述含硅涂层设置在所述腔室主体的内表面上，其中所述含硅涂层的外表面为至少35％原子数的硅。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
