[发明专利]Ge-Sb-Te膜的成膜方法和存储介质

摘要

本发明提供一种Ge-Sb-Te膜的成膜方法和存储介质。该成膜方法是使用气体状的Ge原料、气体状的Sb原料、气体状的Te原料、利用CVD在基板上形成Ge2Sb2Te5的Ge-Sb-Te膜的Ge-Sb-Te膜的成膜方法，其包括：将基板配置在处理容器内的工序(工序1)；将气体状的Ge原料和气体状的Sb原料导入到处理容器内而在基板上进行第1阶段的成膜的工序(工序2)；将气体状的Sb原料和气体状的Te原料导入到处理容器内而在第1阶段的成膜中得到的膜上进行第2阶段的成膜的工序(工序3)；由利用工序2得到的膜、利用工序3得到的膜得到Ge-Sb-Te膜。

主权项

一种Ge‑Sb‑Te膜的成膜方法，其是使用气体状的Ge原料、气体状的Sb原料、气体状的Te原料、利用CVD在基板上形成Ge2Sb2Te5的Ge‑Sb‑Te膜的Ge‑Sb‑Te膜的成膜方法，其中，该Ge‑Sb‑Te膜的成膜方法包括：将基板配置在处理容器内的工序；将气体状的Ge原料和气体状的Sb原料、或者、除它们之外还将不会形成Ge2Sb2Te5的程度的少量的气体状的Te原料导入到上述处理容器内而在基板上进行第1阶段的成膜的工序；将气体状的Sb原料和气体状的Te原料、或者、除它们之外还将不会形成Ge2Sb2Te5的程度的少量的气体状的Ge原料导入到上述处理容器内而在利用上述第1阶段的成膜得到的膜上进行第2阶段的成膜的工序；由利用上述第1阶段的成膜得到的膜、利用上述第2阶段的成膜得到的膜能够得到上述Ge‑Sb‑Te膜。