[发明专利]用于图案化介质中的岛与沟槽的比值优化的工艺

摘要

在线性耦合并彼此隔离的蚀刻室序列中实施具有平衡工艺时间的工艺步骤序列，实现图案化介质岛与沟槽的比值优化。使用活性蚀刻气体的偏置化学蚀刻用于对抗蚀剂图案清除浮渣和修整。在磁层上执行惰性气体溅射蚀刻，在磁盘上获得图案化磁层。然后执行最终的剥离步骤以去除未蚀刻的磁性岛上残余的压盖抗蚀剂和碳硬掩模。可以通过调节化学蚀刻和溅射蚀刻条件来优化保留在磁盘表面上的有效磁性材料。可以调节的相关工艺条件包括：每个步骤中的压力、偏压、时间和气体类型。

主权项

一种用于在具有位于真空环境中的相继处理室的系统中对硬盘进行构图的方法，其中每个处理室由隔离阀进行隔离，所述硬盘具有形成在衬底上方的磁性堆栈、形成在所述磁性堆栈上方的硬掩模层、以及形成在所述硬掩模层上方的图案化光致抗蚀剂层，所述方法包括：将所述磁盘加载到磁盘载体上，在真空环境中传送所述磁盘载体并且将所述磁盘载体传送到反应蚀刻室中；通过轰击反应气体的等离子体，在所述反应蚀刻室中处理所述磁盘，以便将图案从所述图案化光致抗蚀剂转移到所述硬掩模层上；打开所述反应蚀刻室的隔离阀并从所述反应蚀刻室去除所述载体，并将所述磁盘载体传送到溅射蚀刻室中；通过轰击惰性气体的等离子体，在所述溅射蚀刻室中处理所述磁盘，以便将所述图案从图案化的所述硬掩模层转移到磁性堆栈层上。