[发明专利]不破坏真空的从基座表面移除残留物的原位电浆清除技术有效

专利信息
申请号: 201080018337.5 申请日: 2010-02-17
公开(公告)号: CN102414338A 公开(公告)日: 2012-04-11
发明(设计)人: R·J·格林;C-H·蔡;S·N·罗伊;P·巴贾杰;D·H·卢 申请(专利权)人: 应用材料公司
主分类号: C23C14/00 分类号: C23C14/00;C23C14/54;C23C14/34
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 陆勍;毛力
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 提供对沉积腔室进行原位电浆清洁的方法与设备。在一个实施例中,提供一种对沉积腔室进行电浆清洁而不破坏真空的方法。所述方法包括:将基板置于晶座上,所述晶座被配置于腔室中且由电浮动沉积环所环绕;将金属薄膜沉积于腔室中的基板与沉积环上;将沉积于沉积环上的金属薄膜接地且不破坏真空;并使用形成于腔室中的电浆从腔室移除污染物,且不再次溅射接地沉积环上的金属薄膜,且不破坏真空。
搜索关键词: 破坏 真空 基座 表面 残留物 原位 清除 技术
【主权项】:
一种物理气相沉积(PVD)腔室,包括:溅射标靶,用于在基板上沉积溅射的材料;晶座,通常平行于所述溅射标靶且与所述溅射标靶相对地配置,用于支撑所述基板,其中所述晶座在处理位置与清洁位置之间是可移动的;电浮动沉积环,围绕所述晶座的周围壁;接地举升梢板,位于所述晶座的下方;金属连接带,耦接至所述沉积环,用于将沉积于所述沉积环上的金属薄膜与所述接地举升梢板电耦接;以及接地回路,电耦接于所述金属连接带,当所述晶座位于所述清洁位置时所述回路与所述接地举升梢板接触,并且,当所述晶座位于所述处理位置时所述回路与所述接地举升梢板分隔;气体供应器,用于将气体导入所述腔室;以及气体排气装置,用于将气体从所述腔室排出。
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