[发明专利]Cu配线的形成方法无效
| 申请号： | 201080018603.4 | 申请日： | 2010-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN102414804A | 公开（公告）日： | 2012-04-11 |
| 发明（设计）人： | 五味淳;水泽宁;波多野达夫;横山敦;石坂忠大;安室千晃;加藤多佳良 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3205 | 分类号： | H01L21/3205;H01L23/52 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种实施有伴随500℃以上的温度的处理的后续工序的Cu配线的形成方法，其具有：在表面具有沟槽和/或孔的基板上的至少沟槽和/或孔的底面和侧面，形成由具有与Cu的晶格面间距的差为10％以内的晶格面间距的金属构成的密接膜的工序；在密接膜上以填埋沟槽和/或孔的方式形成Cu膜的工序；在Cu膜形成后的基板进行350℃以上的退火处理的工序；研磨Cu膜仅使Cu膜的对应于沟槽和/或孔的部分残留的工序；和在研磨后的Cu膜形成盖而成为Cu配线的工序。 | ||
| 搜索关键词： | cu 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种Cu配线的形成方法，其实施伴随500℃以上的温度的处理的后续工序，所述Cu配线的形成方法的特征在于，包括：在表面具有沟槽和/或孔的基板上的至少所述沟槽和/或孔的底面和侧面形成密接膜，其中，该密接膜包括具有与Cu的晶格面间距的差为10％以内的晶格面间距的金属；在所述密接膜上以填埋所述沟槽和/或孔的方式形成Cu膜；在所述Cu膜形成后的基板进行350℃以上的退火处理；研磨所述Cu膜，仅残留所述Cu膜的对应于所述沟槽和/或孔的部分；和在研磨后的Cu膜形成盖而成为Cu配线。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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