[发明专利]用于沉积和外延剥离过程的平铺衬底有效
申请号: | 201080018652.8 | 申请日: | 2010-03-01 |
公开(公告)号: | CN102414837A | 公开(公告)日: | 2012-04-11 |
发明(设计)人: | 何甘;安德里斯·G·海吉杜斯 | 申请(专利权)人: | 奥塔装置公司 |
主分类号: | H01L31/042 | 分类号: | H01L31/042 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 周靖;郑霞 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明的实施例大体上涉及外延剥离(ELO)膜和用于生产这样的膜的方法。实施例提供一种同时和分别地在公共支撑衬底上生长多个ELO膜或者堆的方法,该公共支撑衬底平铺有许多外延生长衬底或者表面。其后,ELO膜在ELO过程中通过蚀刻步骤从外延生长衬底去除。平铺的生长衬底包含布置在支撑衬底上的外延生长衬底,所述外延生长衬底可以重复用于生长其他的ELO膜。在一个实施方式中,提供了平铺的生长衬底,其包括两个或者两个以上分开布置在支撑衬底上的砷化镓生长衬底,所述支撑衬底具有在大约5×10-6℃-1到大约9×10-6℃-1的范围内的热膨胀系数。 | ||
搜索关键词: | 用于 沉积 外延 剥离 过程 平铺 衬底 | ||
【主权项】:
一种砷化镓衬底组件,包括:支撑衬底,其包含在大约5×10‑6℃‑1到大约9×10‑6℃‑1的范围内的热膨胀系数;粘附层,其布置在所述支撑衬底上;和至少两个砷化镓生长衬底,其分开布置在所述粘附层上并且彼此邻近,其中间隙在所述砷化镓生长衬底之间延伸并且将所述砷化镓生长衬底彼此分离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的