[发明专利]半导体基板的制造方法及半导体基板

摘要

本发明提供一种适合在单一半导体基板上形成如HBT及FET的多个不同种类的器件的半导体基板的制造方法。该方法是反复进行多个阶段来制造多个半导体基板的方法，该多个阶段包含在使半导体结晶生长的反应容器内导入包含具有第1杂质原子作为构成要素的单质或化合物的第1杂质气体的阶段；该方法在导入第1杂质气体的阶段之后包括：取出制成的半导体基板的阶段、向反应容器内设置第1半导体的阶段、向反应容器内导入第2杂质气体的阶段，该第2杂质气体包含具有在第1半导体内显示与第1杂质原子相反的传导型的第2杂质原子作为构成要素的单质或化合物；在第2杂质气体的气氛中加热第1半导体的阶段，在已加热的第1半导体上使第2半导体结晶生长的阶段。

主权项

一种半导体基板的制造方法，是反复进行多个阶段来制造多个半导体基板的方法，所述多个阶段包括向使半导体结晶生长的反应容器内导入第1杂质气体的阶段，所述第1杂质气体包含具有第1杂质原子作为构成要素的单质或化合物，所述制造方法在导入所述第1杂质气体的阶段之后包括：取出所制得的半导体基板的阶段；在所述反应容器内设置第1半导体的阶段；向所述反应容器内导入第2杂质气体的阶段，所述第2杂质气体包含具有在所述第1半导体内显示与所述第1杂质原子相反的传导型的第2杂质原子作为构成要素的单质或化合物；在所述第2杂质气体的气氛中加热所述第1半导体的阶段；和在经所述加热后的所述第1半导体上使第2半导体结晶生长的阶段。