[发明专利]用于对硅片进行掺硼的方法

摘要

本发明涉及一种对放置在炉子腔室中的衬底上的硅片进行P型掺硼的方法，腔室的一端包括壁，用于引入反应气体和气态形式硼前驱物的运载气体的装置位于该壁中，由此所述方法包括以下阶段a)在腔室中，在1kPa‑30kPa的压力下并在800℃‑1100℃的温度下，使反应气体与在运载气体中稀释的三氯化硼BCl3反应，以形成氧化硼B2O3玻璃层，b)在N2+O2的气氛下并在1kPa‑30kPa的压力下，在硅中实施硼原子的扩散。本发明还涉及用于实施所述掺硼方法的炉子及其应用，用于制造大的掺硼硅片，尤其用于光伏应用。

主权项

用于对放置在炉子的腔室(3)中的衬底(2)上的硅片(1)进行掺硼的工艺，所述腔室的一端包括壁(4)，用于引入反应气体和气态形式硼前驱物的运载气体的装置位于所述壁中，其特征在于，所述工艺包括以下阶段：a)‑在所述腔室中(3)，在1kPa－30kPa的压力下且在800℃－1100℃的温度下，使所述反应气体与在所述运载气体中稀释的三氯化硼BCl3反应，以形成氧化硼B2O3玻璃层；b)‑在N2+O2的气氛下并在15kPa－30kPa的压力下，在硅中实施硼的扩散。