[发明专利]在原位腔室清洁后的处理腔室去污方法

摘要

一种方法与设备，用于从处理腔室的内部表面去除沉积产物，以及用于防止或减缓此类沉积产物的生长。提供含卤素气体至该腔室以蚀刻去除沉积产物。提供卤素驱除气体至腔室以去除任何残余的卤素。通过将卤素驱除气体暴露至电磁能而大体上活化卤素驱除气体，这既可在处理腔室内通过热能实现，亦可在远程腔室中通过电场、UV或微波实现。为了在腔室的内部表面上形成抗沉积膜，可添加沉积前驱物至卤素驱除气体。附加地或替代地，可通过在PVD制程中将抗沉积金属溅射于处理腔室的内部部件上而形成抗沉积膜。

主权项

一种清洁在MOCVD腔室中运作处理期间形成于气体分配器上的三族氮化物沉积物的方法，所述方法包括：在所述处理运作前，在所述气体分配器上形成牺牲涂层；在所述处理运作后，暴露所述三族氮化物沉积物以及所述牺牲涂层至活化的含卤素气体；以及蚀刻所述牺牲涂层以及所述三族氮化物沉积物，其中所述牺牲涂层比所述三族氮化物沉积物蚀刻得快。