[发明专利]涂布有SiC的物体和制造涂布有SiC的物体的方法无效

专利信息
申请号: 201080019554.6 申请日: 2010-03-17
公开(公告)号: CN102421937A 公开(公告)日: 2012-04-18
发明(设计)人: 因戈尔夫·恩德勒;曼迪·赫恩;托拉尔夫·格贝尔;克里斯蒂安·鲍赫;鲁门·德尔特切夫;斯文·赫尔;格尔德·利波尔德;贾瓦德·莫塞尼;诺贝特·奥纳 申请(专利权)人: 斯伯恩特私人有限公司
主分类号: C23C16/32 分类号: C23C16/32;C23C16/30
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 蔡胜有;董文国
地址: 卢森堡*** 国省代码: 卢森堡;LU
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摘要: 发明涉及涂布有SiC硬材料层或包含至少一个SiC硬材料层的层体系的物体,以及制造这类经涂布的物体的方法。本发明的目的在于,提供具有SiC层的物体,其具有不含颗粒、非多孔的结构、高硬度,低脆性、高附着强度、良好的抗氧化性能和抗裂缝生长性。根据本发明,利用SiC层或包含至少一个SiC层的多层涂布体系涂布所述物体,其中所述SiC层包含:含卤素的纳米晶体3C-SiC或由混合层,该混合层包含:含卤素的纳米晶体3C-SiC和非晶SiC或者含卤素的纳米晶体3C-SiC和非晶碳。所述物体的涂布在热CVD工艺中进行,其中使用气体混合物,该气体混合物包含H2和/或一种或更多种惰性气体,一种或更多种具有式SinX2n、SinX2n+2、SinXyHz的卤代聚硅烷,其中X是卤素且n≥2,以及一种或更多种烃。或者,根据本发明,在H2和/或一种或更多种惰性气体中使用气体混合物,该气体混合物包含:一种或更多种有机取代基R取代且通式为SinXyRz或SinHxXyRz的卤代聚硅烷,其中X是卤素且n≥2,z>0,y≥1。SinXyRz适用化学计量关系2n+2=y+z或2n=y+z,SinHxXyRz适用化学计量关系2n+2=x+y+z或2n=x+y+z。
搜索关键词: 涂布有 sic 物体 制造 方法
【主权项】:
一种涂布有SiC层或涂布有包含至少SiC硬材料层的多层涂布体系的物体,其中所述SiC层由含卤素的纳米晶体3C‑SiC或混合层组成,所述混合层由含卤素的纳米晶体3C‑SiC和非晶SiC组成或由含卤素的纳米晶体3C‑SiC和非晶碳组成。
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