[发明专利]涂布有SiC的物体和制造涂布有SiC的物体的方法无效
申请号: | 201080019554.6 | 申请日: | 2010-03-17 |
公开(公告)号: | CN102421937A | 公开(公告)日: | 2012-04-18 |
发明(设计)人: | 因戈尔夫·恩德勒;曼迪·赫恩;托拉尔夫·格贝尔;克里斯蒂安·鲍赫;鲁门·德尔特切夫;斯文·赫尔;格尔德·利波尔德;贾瓦德·莫塞尼;诺贝特·奥纳 | 申请(专利权)人: | 斯伯恩特私人有限公司 |
主分类号: | C23C16/32 | 分类号: | C23C16/32;C23C16/30 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 蔡胜有;董文国 |
地址: | 卢森堡*** | 国省代码: | 卢森堡;LU |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及涂布有SiC硬材料层或包含至少一个SiC硬材料层的层体系的物体,以及制造这类经涂布的物体的方法。本发明的目的在于,提供具有SiC层的物体,其具有不含颗粒、非多孔的结构、高硬度,低脆性、高附着强度、良好的抗氧化性能和抗裂缝生长性。根据本发明,利用SiC层或包含至少一个SiC层的多层涂布体系涂布所述物体,其中所述SiC层包含:含卤素的纳米晶体3C-SiC或由混合层,该混合层包含:含卤素的纳米晶体3C-SiC和非晶SiC或者含卤素的纳米晶体3C-SiC和非晶碳。所述物体的涂布在热CVD工艺中进行,其中使用气体混合物,该气体混合物包含H2和/或一种或更多种惰性气体,一种或更多种具有式SinX2n、SinX2n+2、SinXyHz的卤代聚硅烷,其中X是卤素且n≥2,以及一种或更多种烃。或者,根据本发明,在H2和/或一种或更多种惰性气体中使用气体混合物,该气体混合物包含:一种或更多种有机取代基R取代且通式为SinXyRz或SinHxXyRz的卤代聚硅烷,其中X是卤素且n≥2,z>0,y≥1。SinXyRz适用化学计量关系2n+2=y+z或2n=y+z,SinHxXyRz适用化学计量关系2n+2=x+y+z或2n=x+y+z。 | ||
搜索关键词: | 涂布有 sic 物体 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种涂布有SiC层或涂布有包含至少SiC硬材料层的多层涂布体系的物体,其中所述SiC层由含卤素的纳米晶体3C‑SiC或混合层组成,所述混合层由含卤素的纳米晶体3C‑SiC和非晶SiC组成或由含卤素的纳米晶体3C‑SiC和非晶碳组成。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的