[发明专利]具有大热阻抗的光学器件有效
申请号: | 201080019597.4 | 申请日: | 2010-03-29 |
公开(公告)号: | CN102414600A | 公开(公告)日: | 2012-04-11 |
发明(设计)人: | J·E·坎宁安;A·V·克里什纳莫西;I·舒彬;李国良;郑学哲 | 申请(专利权)人: | 甲骨文美国公司 |
主分类号: | G02F1/025 | 分类号: | G02F1/025 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 李颖 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 描述了光学器件、光学器件阵列,以及用于制造光学器件或阵列的实施例。此光学器件是在衬底(如硅)上实现的,并包括具有与其环境的良好的绝热的热可调谐的光波导。具体而言,包括光波导的光学器件中的半导体的一部分,自支撑地位于半导体层和衬底之间的间隙上方。通过降低光波导和外部环境之间的热耦合,可以以小得多的功率消耗热调谐光学器件。 | ||
搜索关键词: | 具有 阻抗 光学 器件 | ||
【主权项】:
一种光学器件,包括:衬底;沉积在所述衬底上的中间层;以及沉积在所述中间层上的半导体层,包括热可调谐的光波导和从所述半导体层的顶部延伸到与所述中间层邻近的所述半导体层的底部的通孔;其中,所述半导体层的一部分自支撑地位于所述半导体层和所述衬底之间的间隙上方,其中,所述间隙对应于所述中间层的通过所述通孔可接触的去除的牺牲部分;其中,所述半导体层的另一部分被所述中间层的剩余部分支撑;以及其中,所述间隙增大所述半导体层和所述衬底之间的热阻抗,由此降低与对所述光波导的热调谐相关联的功率消耗。
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