[发明专利]关于具有浮动主体的存储器单元的方法、装置及系统有效

专利信息
申请号: 201080019778.7 申请日: 2010-04-02
公开(公告)号: CN102414820A 公开(公告)日: 2012-04-11
发明(设计)人: 山·D·唐 申请(专利权)人: 美光科技公司
主分类号: H01L27/108 分类号: H01L27/108;H01L21/8242
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 宋献涛
地址: 美国爱*** 国省代码: 美国;US
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明揭示关于具有浮动主体的存储器单元的方法、装置及系统。存储器单元包含晶体管,所述晶体管包括各自形成于硅中的漏极及源极以及定位于所述漏极与所述源极之间的栅极。所述存储器单元还可包含偏置栅极,所述偏置栅极凹入到所述硅中且定位于隔离区与所述晶体管之间且经配置以可操作地耦合到偏置电压。此外,所述存储器单元可包含浮动主体,所述浮动主体位于所述硅内且具有邻近所述源极及所述漏极且从所述偏置栅极垂直偏移的第一部分及耦合到所述第一部分的第二部分,其中所述偏置栅极邻近所述第二部分而形成。
搜索关键词: 关于 具有 浮动 主体 存储器 单元 方法 装置 系统
【主权项】:
一种包含一个或一个以上存储器单元的装置,每一存储器单元包括:晶体管,其包括各自形成于硅中的漏极及源极以及定位于所述漏极与所述源极之间的栅极;偏置栅极,其凹入到所述硅中且定位于隔离区与所述晶体管之间且经配置以可操作地耦合到偏置电压;及浮动主体,其位于所述硅内且具有邻近所述源极及所述漏极且从所述偏置栅极垂直偏移的第一部分及耦合到所述第一部分的第二部分,其中所述偏置栅极邻近所述第二部分而形成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于美光科技公司,未经美光科技公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201080019778.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top