[发明专利]关于具有浮动主体的存储器单元的方法、装置及系统有效
申请号: | 201080019778.7 | 申请日: | 2010-04-02 |
公开(公告)号: | CN102414820A | 公开(公告)日: | 2012-04-11 |
发明(设计)人: | 山·D·唐 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | H01L27/108 | 分类号: | H01L27/108;H01L21/8242 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 宋献涛 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明揭示关于具有浮动主体的存储器单元的方法、装置及系统。存储器单元包含晶体管,所述晶体管包括各自形成于硅中的漏极及源极以及定位于所述漏极与所述源极之间的栅极。所述存储器单元还可包含偏置栅极,所述偏置栅极凹入到所述硅中且定位于隔离区与所述晶体管之间且经配置以可操作地耦合到偏置电压。此外,所述存储器单元可包含浮动主体,所述浮动主体位于所述硅内且具有邻近所述源极及所述漏极且从所述偏置栅极垂直偏移的第一部分及耦合到所述第一部分的第二部分,其中所述偏置栅极邻近所述第二部分而形成。 | ||
搜索关键词: | 关于 具有 浮动 主体 存储器 单元 方法 装置 系统 | ||
【主权项】:
一种包含一个或一个以上存储器单元的装置,每一存储器单元包括:晶体管,其包括各自形成于硅中的漏极及源极以及定位于所述漏极与所述源极之间的栅极;偏置栅极,其凹入到所述硅中且定位于隔离区与所述晶体管之间且经配置以可操作地耦合到偏置电压;及浮动主体,其位于所述硅内且具有邻近所述源极及所述漏极且从所述偏置栅极垂直偏移的第一部分及耦合到所述第一部分的第二部分,其中所述偏置栅极邻近所述第二部分而形成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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