[发明专利]等离子体处理装置有效
| 申请号： | 201080020257.3 | 申请日： | 2010-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN102428762A | 公开（公告）日： | 2012-04-25 |
| 发明（设计）人： | 卢多维克·葛特;提摩太·J·米勒;史费特那·瑞都凡诺;安东尼·雷诺;维克拉姆·辛 | 申请（专利权）人： | 瓦里安半导体设备公司 |
| 主分类号： | H05H1/24 | 分类号： | H05H1/24;H05H1/34;H01L21/265;H01L21/3065;H01L21/205 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 臧建明 |
| 地址： | 美国麻萨诸塞*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种等离子体处理装置，其包含处理腔室；压板，其定位于处理腔室中，用于支撑工件；源，其经组态以在所述处理腔室中产生等离子体，等离子体具有邻近工件的前表面的等离子体鞘；以及绝缘修改器。绝缘修改器具有间隙以及间隙平面，其中间隙平面由绝缘修改器的最靠近鞘且接近间隙的部分界定。将间隙角度界定为间隙平面与由工件的前表面所界定的平面之间的角度。另外，揭示一种使离子撞击工件的方法，其中撞击工件的离子的入射角范围包含中心角以及角分布，且其中绝缘修改器的使用形成不垂直于工件的中心角。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 装置 | ||
【主权项】：
一种等离子体处理装置，包括：处理腔室；压板，定位于所述处理腔室中，用于支撑工件；源，经组态以在所述处理腔室中产生等离子体，所述等离子体具有邻近于所述工件的前表面的等离子体鞘；绝缘修改器，所述绝缘修改器中具有间隙，其中间隙平面由所述绝缘修改器的最靠近所述鞘且接近所述间隙的部分界定，且间隙角度为所述间隙平面与由所述工件的面向所述等离子体的所述前表面界定的工件平面之间的角度，且其中所述间隙角度非零；以及偏压源，经组态以加偏压于所述工件，以越过所述等离子体鞘自所述等离子体朝所述工件吸引离子，用于处理所述工件，其中所述离子相对于所述工件平面的入射角范围取决于所述等离子体与所述等离子体鞘之间的边界的形状，且其中所述入射角范围包括中心角以及围绕所述中心角的角分布，且所述中心角不垂直于所述工件平面。
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