[发明专利]高能量密度放射性同位素微电源有效
| 申请号： | 201080020326.0 | 申请日： | 2010-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN102422363A | 公开（公告）日： | 2012-04-18 |
| 发明（设计）人： | 权载万;彤塔维·瓦查拉新德胡;约翰·大卫·罗伯森 | 申请（专利权）人： | 密苏里大学管理委员会 |
| 主分类号： | G21H1/06 | 分类号： | G21H1/06 |
| 代理公司： | 北京万慧达知识产权代理有限公司 11111 | 代理人： | 白华胜;张一军 |
| 地址： | 美国密*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种构建固态高能量密度微放射性同位素电源设备(10)的方法。在这些实施例中，所述方法包括将预伏打半导体合成物(38A)(包括半导体材料和放射性同位素材料)沉积至微腔室(28)，其中，所述微腔室形成在电源设备的主体(14)内。此方法另外包括加热所述主体(14)至一温度，在所述温度下，所述预伏打半导体合成物(38A)将在所述微腔室(28)内液化，以提供液态合成混合物(38B)。进一步地，此方法包括冷却所述主体(14)和所述液态合成混合物(38B)，使得所述液态合成混合物(38B)固化以提供固态合成伏打半导体(38)，由此提供固态高能量密度微放射性同位素电源设备(10)。 | ||
| 搜索关键词： | 高能量 密度 放射性同位素 电源 | ||
【主权项】：
一种构建非晶固态高能量密度微放射性同位素电源设备的方法，所述方法包括：将至少一种半导体材料与至少一种放射性同位素材料结合以提供预伏打半导体合成物；将所述预伏打半导体合成物沉积至微腔室，其中，所述微腔室形成在高能量密度微放射性同位素电源设备的底部部分中，所述高能量密度微放射性同位素电源设备的所述底部部分包括布置在所述微腔室底部中的第一电极；将所述高能量密度微放射性同位素电源设备的顶部部分布置至所述高能量密度微放射性同位素电源设备的所述底部部分上，覆盖所述微腔室，以提供所述高能量密度微放射性同位素电源设备的装配主体，所述高能量密度微放射性同位素电源设备的所述顶部部分包括布置在所述微腔室顶部处的第二电极；加热所述装配主体至一温度，在所述温度下，所述预伏打半导体合成物将在所述微腔室内液化，使得所述至少一种半导体材料与所述至少一种放射性同位素材料被彻底地和均匀地混合以提供液态合成混合物；以及冷却所述装配主体和所述液态合成混合物，使得所述液态合成混合物固化以提供固态合成伏打半导体，以及由此提供固态高能量密度微放射性同位素电源设备。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于密苏里大学管理委员会，未经密苏里大学管理委员会许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201080020326.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
