[发明专利]氮化物半导体发光元件及外延衬底无效
| 申请号： | 201080020499.2 | 申请日： | 2010-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN102422496A | 公开（公告）日： | 2012-04-18 |
| 发明（设计）人： | 京野孝史;盐谷阳平;秋田胜史;上野昌纪;善积祐介;住友隆道 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343;H01L21/205 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 王海川;穆德骏 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供可减少由晶格弛豫引起的载流子阻挡性能降低的氮化物半导体发光元件。支撑基体(13)的六方晶系GaN的c轴向量VC相对于主面(13a)的法线轴Nx朝X轴方向倾斜。在半导体区域(15)中，有源层(19)、第一氮化镓基半导体层(21)、电子阻挡层(23)及第二氮化镓基半导体层(25)在支撑基体(13)的主面(13a)上沿法线轴Nx排列。p型覆层(17)包含AlGaN，电子阻挡层(23)包含AlGaN。电子阻挡层(23)承受X轴方向的拉伸应变。第一氮化镓基半导体层(21)承受X轴方向的压缩应变。界面(27a)处的错配位错密度低于界面(27b)处的错配位错密度。由于压电极化而使界面(27a)对电子的势垒升高。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 发光 元件 外延 衬底 | ||
【主权项】：
一种氮化物半导体发光元件，其特征在于，包含：支撑基体，其包含六方晶系氮化镓半导体，半导体区域，其设置于所述支撑基体的主面上，且包含有源层、第一氮化镓基半导体层、电子阻挡层及第二氮化镓基半导体层，和p型覆层，其位于所述半导体区域的主面上；所述六方晶系氮化镓半导体的c轴相对于所述支撑基体的所述主面的法线轴朝规定的方向倾斜，所述p型覆层包含AlGaN，所述电子阻挡层包含AlGaN，所述第一氮化镓基半导体层设置于所述有源层与所述电子阻挡层之间，所述第二氮化镓基半导体层设置于所述p型覆层与所述电子阻挡层之间，所述第二氮化镓基半导体层的材料与所述电子阻挡层的材料不同，所述第二氮化镓基半导体层的材料与所述p型覆层的材料不同，所述第一氮化镓基半导体层的带隙小于所述电子阻挡层的带隙，所述电子阻挡层承受所述规定方向的拉伸应变，所述第一氮化镓基半导体层承受所述规定方向的压缩应变，所述第一氮化镓基半导体层与所述电子阻挡层的界面处的错配位错密度低于所述第二氮化镓基半导体层与所述p型覆层的界面处的错配位错密度。
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