[发明专利]半导体器件无效
| 申请号： | 201080020502.0 | 申请日： | 2010-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN102422424A | 公开（公告）日： | 2012-04-18 |
| 发明（设计）人： | 和田圭司;原田真;增田健良;穗永美纱子;佐佐木信;西口太郎;并川靖生;藤原伸介 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/12 | 分类号： | H01L29/12;H01L21/02;H01L21/20;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 韩峰;孙志湧 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种MOSFET(100)，其是半导体器件并使能减少导通电阻同时抑制由于在器件制造工艺中的热处理而导致产生层错，包括：碳化硅衬底(1)；有源层(7)，其由单晶碳化硅制成并且布置在碳化硅衬底(1)的一个主表面上；源极接触电极(92)，其布置在有源层(7)上；以及漏电极(96)，其形成在碳化硅衬底(1)的另一主表面上。碳化硅衬底(1)包括：基底层(10)，其由碳化硅制成；以及SiC层(20)，其由单晶碳化硅制成并且布置在基底层(10)上。此外，基底层(10)具有大于2×1019cm-3的杂质浓度，并且SiC层(20)具有大于5×1018cm-3并且小于2×1019cm-3的杂质浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件(100)，包括：碳化硅衬底(1)；有源层(7)，所述有源层(7)由单晶碳化硅制成并且设置在所述碳化硅衬底(1)的一个主表面上；第一电极(92)，所述第一电极(92)设置在所述有源层(7)上；以及第二电极(96)，所述第二电极(96)形成在所述碳化硅衬底(1)的另一主表面上，所述碳化硅衬底(1)包括：基底层(10)，所述基底层(10)由碳化硅制成，以及SiC层(20)，所述SiC层(20)由单晶碳化硅制成并且设置在所述基底层(10)上，所述基底层(10)具有大于2×1019cm‑3的杂质浓度，所述SiC层(20)具有大于5×1018cm‑3并且小于2×1019cm‑3的杂质浓度。
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