[发明专利]氮化物半导体元件的制造方法

摘要

在本发明的氮化镓类化合物半导体发光元件的制造方法中，首先，通过有机金属气相生长法，在不同的生长条件下形成主面为非极性面或半极性面的InyGa1-yN(0＜y＜1)层。接着，基于在多个InyGa1-yN(0＜y＜1)层中形成发光波长相等的InxGa1-xN(0＜x＜1)层的生长条件，求出在压力和生长速率恒定时的生长温度和In供给摩尔比之间的关系。然后，在表示生长温度和In供给摩尔比之间的所述关系的曲线上，决定生长温度随着In供给摩尔比的增加而单调增加的区域和饱和的区域之间的饱和点。在与该饱和点对应的生长条件下，使主面为非极性面或半极性面的InxGa1-xN(0＜x＜1)层生长。

主权项

一种氮化镓类化合物半导体发光元件的制造方法，包括通过有机金属气相生长法形成主面为非极性面或半极性面的氮化镓类化合物半导体层的工序，其中，规定有机金属气相生长法的生长条件的参数包括：压力、生长速率、生长温度、和作为包含在III族原料气体中的铟原料气体的供给摩尔比的铟供给摩尔比，所述氮化镓类化合物半导体发光元件的制造方法包括：在压力和生长速率恒定时表示用于形成同一发光波长的InxGa1‑xN层的生长温度和铟供给摩尔比之间的关系的曲线上，决定与生长温度随着铟供给摩尔比的增加而单调增加的区域和饱和的区域之间的饱和点相对应的生长条件的工序(A)，其中，0＜x＜1；以及在所述生长条件下使主面为非极性面或半极性面的InxGa1‑xN层生长的工序(B)，其中，0＜x＜1。