[发明专利]半导体装置及其制造方法以及太阳能电池有效
| 申请号： | 201080020824.5 | 申请日： | 2010-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN102422438A | 公开（公告）日： | 2012-04-18 |
| 发明（设计）人： | 末益崇;宇佐美德隆 | 申请（专利权）人： | 国立大学法人筑波大学;国立大学法人东北大学 |
| 主分类号： | H01L31/042 | 分类号： | H01L31/042;H01L21/203;H01L31/04 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉;黄纶伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体装置，其包含：硅层(12)；含有硅化钡的中间硅化物层(28)，其设置在所述硅层(12)上，且具有开口；以及含有硅化钡的上部硅化物层(14)，其被设置成覆盖中间硅化物层(28)且经由所述开口与硅层(12)相接，掺杂浓度比所述中间硅化物层(28)的掺杂浓度高。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 以及 太阳能电池 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，该半导体装置包含：硅层；含有硅化钡的中间硅化物层，其设置在所述硅层上，且具有开口；以及含有硅化钡的上部硅化物层，其被设置成覆盖中间硅化物层且经由所述开口与硅层相接，掺杂浓度比所述中间硅化物层高。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
