[发明专利]第III族氮化物基半导体元件无效
| 申请号： | 201080020912.5 | 申请日： | 2010-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN102422446A | 公开（公告）日： | 2012-04-18 |
| 发明（设计）人： | 德山慎司;上野昌纪;足立真宽;京野孝史;住友隆道;片山浩二;齐藤吉广 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L21/28;H01L33/14;H01L33/40 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 王海川;穆德骏 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种第III族氮化物基半导体元件，在第III族氮化物基半导体区域的表面从c面倾斜时，能够将设置在该半导体层上的电极与该半导体区域的接触电阻抑制为较小。一种第III族氮化物基半导体元件，具备：具有包含第III族氮化物晶体的非极性表面(13a)的半导体区域(13)、和设置在半导体区域(13)的非极性表面(13a)上的金属电极(17)；非极性表面(13a)为半极性和无极性中的任意一种，半导体区域(13)中添加有p型掺杂剂，在半导体区域(13)的第III族氮化物晶体与金属电极(17)之间，具有由金属电极(17)的金属与半导体区域(13)的第III族氮化物相互扩散而形成的过渡层(19)。 | ||
| 搜索关键词： | iii 氮化物 半导体 元件 | ||
【主权项】：
一种第III族氮化物基半导体元件，其特征在于，具备：具有包含第III族氮化物晶体的非极性表面的半导体区域、和设置在所述半导体区域的所述非极性表面上的金属电极；所述非极性表面为半极性和无极性中的任意一种，所述半导体区域中添加有p型掺杂剂，在所述半导体区域的第III族氮化物晶体与所述金属电极之间，具有由所述金属电极的金属与所述半导体区域的第III族氮化物相互扩散而形成的过渡层。
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