[发明专利]纳米结构化金属氧化物或半导体型材料的膜或晶片的方法无效
| 申请号： | 201080021194.3 | 申请日： | 2010-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN102428215A | 公开（公告）日： | 2012-04-25 |
| 发明（设计）人： | 吉勒·勒龙代尔;洛朗·迪韦 | 申请（专利权）人： | 特鲁瓦技术大学 |
| 主分类号： | C30B7/00 | 分类号： | C30B7/00;C30B19/10;C30B29/16;C30B29/60;C30B29/62;G03F7/00 |
| 代理公司： | 北京金信立方知识产权代理有限公司 11225 | 代理人： | 朱梅;张皓 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种纳米结构化材料的膜(2)的方法，其包括如下步骤：将所述材料的膜(2)浸没在水溶液(3)中，其中，向所述膜(2)的至少一个面上应用包括照亮区域(6b)和黑暗区域(6a)的干涉图形(6)。根据本发明的方法，所述材料为半导体无机材料或氧化物，其在光的吸收的作用下能够溶解在水溶液中。通过在干涉图形(6)的照亮区域(6a)中的光溶解和/或在黑暗区域(6b)中的生长，在与水溶液(3)接触的表面上实现了膜(2)的纳米结构化。本发明还涉及根据这样的制备方法得到的纳米结构化涂膜(5)和纳米结构化3D膜。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 结构 金属 氧化物 半导体 材料 晶片 方法 | ||
【主权项】：
一种纳米结构化材料的膜(2)的方法，其包括如下步骤：将所述材料的膜(2)浸没在水溶液(3)中，其中，向所述膜(2)的至少一个面上应用包括照亮区域(6b)和黑暗区域(6a)的干涉图形(6)，所述方法的特征在于：‑所述材料为半导体无机材料或氧化物，其在光的吸收作用下能够溶解在水溶液中，以及‑通过在所述干涉图形(6)的照亮区域(6a)中的光溶解和/或在所述干涉图形(6)的黑暗区域中的生长，在与水溶液(3)接触的膜(2)的表面上发生材料的膜或晶片(2)的纳米结构化。
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