[发明专利]双极晶体管的缩放有效
| 申请号： | 201080021384.5 | 申请日： | 2010-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN102428548A | 公开（公告）日： | 2012-04-25 |
| 发明（设计）人： | A.J.约瑟夫;R.M.马拉迪;J.A.斯林克曼 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L29/73 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邱军 |
| 地址： | 美国纽*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种双极晶体管结构、设计与制造双极晶体管的方法、设计具有双极晶体管的电路的方法。设计该双极晶体管的该方法包括：选择双极晶体管(图18的240)的初始设计；缩放该双极晶体管的该初始设计，以产生该双极晶体管的已缩放设计(245)；根据该缩放之后该双极晶体管的发射极的尺寸，决定是否需要该双极晶体管的该已缩放设计的应力补偿(250)；以及若需要该双极晶体管的该已缩放设计的应力补偿，则相对于该已缩放设计的发射极布局阶层的布局，调整该已缩放设计的沟槽隔离布局阶层的布局(255)，以产生该双极晶体管的应力补偿缩放设计(260)。 | ||
| 搜索关键词： | 双极晶体管 缩放 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：选择双极晶体管的初始设计；缩放所述双极晶体管的所述初始设计，以产生所述双极晶体管的已缩放设计；根据所述缩放之后所述双极晶体管的发射极的尺寸，决定是否需要所述双极晶体管的所述已缩放设计的应力补偿；以及若需要所述双极晶体管的所述已缩放设计的应力补偿，则相对于所述已缩放设计的发射极布局阶层的布局，调整所述已缩放设计的沟槽隔离布局阶层的布局，以产生所述双极晶体管的应力补偿缩放设计。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
