[发明专利]等离子体处理装置以及器件的制造方法有效
| 申请号： | 201080021815.8 | 申请日： | 2010-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN102428545A | 公开（公告）日： | 2012-04-25 |
| 发明（设计）人： | 松桥亮;赤坂洋;小平吉三;关口敦;松井尚子 | 申请（专利权）人： | 佳能安内华股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;张会华 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种等离子体处理装置以及器件的制造方法。等离子体处理装置降低由在放电容器中产生的等离子体引起的损坏，从而使放电容器的更换周期延长。等离子体处理装置(1)包括：处理室(2)，其用于划分出处理空间；放电容器(3)，其一端以面对处理室(2)的内部的方式被开口，另一端被闭塞；天线(4)，其配置在放电容器(3)的周围，用于产生感应电场并用于在减压条件下的放电容器(3)的内部生成等离子体；电磁体(9)，其配置在放电容器(3)的周围，用于在放电容器(3)的内部形成发散磁场。在放电容器(3)的闭塞端部形成有向处理室侧突出的突出部(15)。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 装置 以及 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种等离子体处理装置，其特征在于，等离子体处理装置包括：处理室，其用于划分出处理空间；放电容器，其由筒体构成，该筒体的一端以面对上述处理室的内部的方式被开口，该筒体的另一端被闭塞；天线，其配置在上述放电容器的周围，用于产生感应电场并用于在减压条件下的上述放电容器的内部生成等离子体；磁体，其配置在上述放电容器的周围，用于在上述放电容器的内部形成发散磁场；上述放电容器的闭塞端部具有向上述处理室侧突出的突出部。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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