[发明专利]光电子半导体芯片和用于制造光电子半导体芯片的方法有效
| 申请号： | 201080021820.9 | 申请日： | 2010-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN102428579A | 公开（公告）日： | 2012-04-25 |
| 发明（设计）人： | 尼古劳斯·格迈因维泽;贝特霍尔德·哈恩 | 申请（专利权）人： | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22;H01L33/50 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李德山;陈炜 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 在光电子半导体芯片(1)的至少一个实施形式中，该光电子半导体芯片包括半导体层序列(2)。半导体层序列(2)包含用于产生初级辐射(P)的至少一个有源层(3)。此外，半导体层序列(2)包括多个转换层(4)，其中这些转换层构建为将初级辐射(P)至少部分吸收并且转换成相对于初级辐射(P)更长波的次级辐射(S)。此外，半导体层序列(2)具有粗化部(5)，其至少部分伸到转换层(4)中。 | ||
| 搜索关键词： | 光电子 半导体 芯片 用于 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种光电子半导体芯片(1)，其具有半导体层序列(2)，该半导体层序列具有：‑用于产生初级辐射(P)的至少一个有源层(3)，‑一个或多个转换层(4)，其将初级辐射(P)至少部分地吸收并且转换成相对于初级辐射(P)更长波的次级辐射(S)，以及‑粗化部(5)，其至少部分伸到转换层(4)或伸到转换层(4)之一中。
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