[发明专利]用于反向图案化的方法和材料

摘要

硅倍半氧烷树脂被施用于图案化光致抗蚀剂之上并被固化，以在图案表面之上产生固化的硅倍半氧烷树脂。随后，含CF4的反应离子蚀刻配方以将硅树脂“反蚀刻”到光致抗蚀剂材料之上，暴露出基于有机的光致抗蚀剂的整个上表面。接着，含O2的第二反应离子蚀刻配方蚀刻掉有机光致抗蚀剂。得到具有被图案化到光致抗蚀剂中的柱的尺寸和形状的通孔的硅树脂膜。任选地，可将新的图案转印到下层中。

主权项

一种在衬底上形成反向图案的方法，其中所述方法包括：(I)将涂层组合物施用于第一图案化材料之上，其中所述涂层组合物包含：(i)包括以下单元的硅倍半氧烷树脂：(MeSiO(3‑x)/2(OR’)x)m(RSiO(3‑x)/2(OR’)x)n(R1SiO(3‑x)/2(OR’)x)o(SiO(4‑x)/2(OR’)x)p(Ph(CH2)sSiO(3‑x)/2(OR’)x)q其中Ph是苯基，Me是甲基；R’是氢原子或具有1至4个碳原子的烃基；R是选自以下基团的反应性有机基团：含环氧官能团的基团和含丙烯酰氧基官能团的基团，R1是亲水性基团；且s具有0、1、2、3或4的值；x具有0、1或2的值；且在所述树脂中，m具有0.2至0.95的值，n具有0.01至0.5的值；o具有0至0.20的值；p具有0至0.75的值；q具有0至0.5的值，且m+n+o+p+q≈1；以及(ii)用于携载所述树脂的溶剂；和(iii)活化剂；(III)固化所述涂层组合物，以在所述第一图案化材料之上产生覆盖整个图案的固化的硅涂层；(IV)部分除去所述固化的硅涂层，以暴露所述第一图案化材料的上表面；(V)除去所述第一图案化材料，从而在所述固化的硅涂层中形成第二图案；以及(VI)任选地，进一步将所述第二图案转印到任何下层上。