[发明专利]具有多重半透过部分的半色调掩膜及其制造方法有效
| 申请号： | 201080022197.9 | 申请日： | 2010-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN102439519A | 公开（公告）日： | 2012-05-02 |
| 发明（设计）人： | 洪镇澔;金钟善;徐栽镕;徐忠源 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/32 | 分类号： | G03F1/32 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人： | 许向彤;林锦辉 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种半色调掩膜，其中，具有至少一个或更多个半透过部分的所述半透过掩膜能够通过调节形成所述半透过部分的精细图案的图案密度来调节透射率，由此可以调节精细图案的图案密度，以提高形成有狭缝式半透过部分、堆叠式半透过部分或其结合的半色调掩膜中的透射率的调节效率，并且通过不依靠单独的制造过程而调节图案密度，可以准确地控制半透过区域的透射率。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 多重 透过 部分 色调 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半色调掩膜，其中，具有至少一个或更多个半透过部分的所述半色调掩膜能够通过调节形成所述半透过部分的精细图案的图案密度来调节透射率。
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G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
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G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
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