[发明专利]在应变薄膜上植入有冷和/或分子碳的升起式源极/漏极的形成方法

摘要

揭示一种用于增强半导体结构的通道区中的张应力的方法。所述方法包含执行一或多个冷碳或分子碳离子植入步骤，以在所述半导体结构内植入碳离子，从而在通道区的任一侧形成应力层。接着在所述应变层上方形成升起式源极/漏极区，且使用随后的离子植入步骤来掺杂所述升起式源极/漏极区。毫秒退火步骤激活应变层及升起式源极/漏极区。应变层增强半导体结构的通道区内的载流子迁移率，同时所述升起式源极/漏极区使所述应变层中因随后掺杂剂离子在所述升起式源极/漏极区中的植入而导致的应变减至最小。

主权项

一种用于形成具有升起式源极/漏极区的半导体装置的方法，包括：提供半导体结构，其包括具有通道区的硅基板；在所述半导体结构内形成应变层，所述应变层位于所述通道区的任一侧，所述应变层是藉由离子植入步骤而形成，所述离子植入步骤包括冷碳离子植入或分子碳离子植入；藉由在所述应变层中的每一个上沉积硅层，而在所述应变层上方形成升起式源极/漏极区；掺杂所述升起式源极/漏极区；以及使所述半导体结构退火，以激活所述升起式源极/漏极区。