[发明专利]超声波换能器及利用该超声波换能器的超声波诊断装置有效
| 申请号： | 201080022255.8 | 申请日： | 2010-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN102440005A | 公开（公告）日： | 2012-05-02 |
| 发明（设计）人： | 町田俊太郎;小林孝 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立医疗器械 |
| 主分类号： | H04R19/00 | 分类号： | H04R19/00;A61B8/00;H04R1/40 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种具备优选的突起配置结构的超声波换能器及利用该超声波换能器的超声波诊断装置。该超声波换能器具备：第一电极；形成于该第一电极上的下部绝缘膜；被设置为在该下部绝缘膜上形成空洞部的上部绝缘膜；和形成于该上部绝缘膜上的第二电极，其特征在于，在所述下部绝缘膜或所述上部绝缘膜上，在所述空洞部侧形成突起，在相当于形成所述突起的位置的所述第一电极或第二电极上形成有开口部。由此，在为了抑制薄膜下表面与空洞部下表面接触所引起的电荷向绝缘膜注入而配置向空洞部突出的绝缘膜的突起的情况下，可以抑制CMUT的驱动电压的上升、接收灵敏度的降低。 | ||
| 搜索关键词： | 超声波 换能器 利用 诊断 装置 | ||
【主权项】：
一种超声波换能器，其具备：第一电极；形成于该第一电极上的下部绝缘膜；被设置为在该下部绝缘膜上形成空洞部的上部绝缘膜；和形成于该上部绝缘膜上的第二电极，所述超声波换能器特征在于，在所述下部绝缘膜或所述上部绝缘膜上，在所述空洞部侧形成突起，在相当于形成所述突起的位置的所述第一电极或第二电极上形成有开口部。
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