[发明专利]具有包覆有硅化物的金属表面的反应器有效
| 申请号： | 201080022356.5 | 申请日： | 2010-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN102438763A | 公开（公告）日： | 2012-05-02 |
| 发明（设计）人： | 罗伯特·费勒利希;本·菲斯尔曼;戴维·米克森;约克·特索 | 申请（专利权）人： | AE多晶硅公司 |
| 主分类号： | B05D3/04 | 分类号： | B05D3/04 |
| 代理公司： | 北京市联德律师事务所 11361 | 代理人： | 易咏梅;刘永全 |
| 地址： | 美国宾夕*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在实施方案中，反应器包括区段，其中，该区段的至少一部分包括一基础层，其中，该基础层具有第一组成，第一组成含有形成硅化物的金属元素；和硅化物覆层，其中，硅化物覆层通过下列方法来形成：在高于600℃的第一温度和足够低的压力下，使具有足够量的形成硅化物的金属元素的基础层暴露于足够量的硅源气体中，该硅源气体具有足够量的硅元素，其中该硅源气体能够在低于1000℃的第二温度下分解以产生足够量的硅元素；使足够量的形成硅化物的金属元素与足够量的硅元素反应，并形成硅化物覆层。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 包覆有硅化物 金属表面 反应器 | ||
【主权项】：
一种反应器，包括：第一区段，其中，所述第一区段的至少一部分包括：i)至少一个基础层，其中，所述至少一个基础层具有第一组成，所述第一组成含有至少一种形成硅化物的金属元素；和ii)至少一个硅化物覆层，其中，所述至少一个硅化物覆层通过下列方法形成：1)在高于600℃的第一温度和足够低的压力下，使具有足够量的所述至少一种形成硅化物的金属元素的所述至少一个基础层暴露于足够量的至少一种硅源气体中，所述硅源气体具有足够量的硅元素，其中，在低于1000℃的第二温度下，所述至少一种硅源气体能够分解以产生所述足够量的硅元素；2)使所述足够量的至少一种形成硅化物的金属元素与所述足够量的硅元素反应；和3)形成所述至少一个硅化物覆层。
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