[发明专利]具有导电过孔的晶片键合的CMUT阵列无效
| 申请号： | 201080022598.4 | 申请日： | 2010-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN102427890A | 公开（公告）日： | 2012-04-25 |
| 发明（设计）人： | 西格丽德·伯格;卡马尔·恰帕金;乔恩·杜-汉森;谢尔·阿恩·英厄布里格森;吉尔·尤里·延森;谢尔斯蒂·米德伯;埃里克·尤特讷·波普;阿恩·罗内克莱夫;戴格·索尔斯坦·望 | 申请（专利权）人： | NTNU技术转让公司 |
| 主分类号： | B06B1/00 | 分类号： | B06B1/00 |
| 代理公司： | 上海旭诚知识产权代理有限公司 31220 | 代理人： | 郑立;王萍萍 |
| 地址： | 挪威特*** | 国省代码： | 挪威;NO |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种包括多个横跨衬底分布的CMUT元件的晶片键合的CMUT阵列，每个元件包括一个空腔和一个形成在所述衬底内的信号电极，和一个封闭所述空腔并形成接地电极的导电薄膜，其中所述单个元件的薄膜形成横跨所述阵列的表面的完整的接地面，并且其中通过导电过孔提供了到所述信号电极的电连接，所述导电过孔由此悬垂穿过所述衬底从所述信号电极到所述衬底的后部。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 导电 晶片 cmut 阵列 | ||
【主权项】：
一种包括多个横跨衬底分布的CMUT元件的晶片键合的CMUT阵列，每个元件包括空腔和形成在所述衬底内的信号电极，以及封闭所述空腔并形成接地电极的导电薄膜，其中单个元件的薄膜形成横跨所述阵列的表面的完整的接地面，并且其中通过导电过孔提供了到所述信号电极的电连接，所述导电过孔由此悬垂穿过所述衬底而从所述信号电极到所述衬底的后部。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于NTNU技术转让公司，未经NTNU技术转让公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201080022598.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：飞机发动机起动/发电系统和控制的方法
- 下一篇：因子VIII变体及使用方法
