[发明专利]覆膜表面处理方法以及覆膜表面处理装置有效
| 申请号： | 201080022769.3 | 申请日： | 2010-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN102449741A | 公开（公告）日： | 2012-05-09 |
| 发明（设计）人： | 小平周司;吉浜知之;鎌田恒吉;堀田和正;滨口纯一;中西茂雄;丰田聪 | 申请（专利权）人： | 株式会社爱发科 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/285;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 杨晶;王琦 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种覆膜表面处理方法，其特征在于，包括：使用在被成膜面上形成有微细的孔或槽的基体(21)，在包含该孔或槽的内壁面和内底面的所述基体(21)的整个面上形成覆膜(22)；以及通过对所述覆膜(22)的表面实施等离子体处理，从而使在所述孔或槽的所述内壁面上形成的所述覆膜(23)平坦化。 | ||
| 搜索关键词： | 表面 处理 方法 以及 装置 | ||
【主权项】：
一种覆膜表面处理方法，其特征在于，包括：使用在被成膜面上形成有微细的孔或槽的基体，在包含该孔或槽的内壁面和内底面的所述基体的整个面上形成覆膜；以及通过对所述覆膜的表面实施等离子体处理，从而使在所述孔或槽的所述内壁面上形成的所述覆膜平坦化。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社爱发科，未经株式会社爱发科许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201080022769.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：电耦接器系统及其制造方法
- 下一篇：显示和照明装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
