[发明专利]在覆有扩散阻障层的基板上之半导体组件及其制作方法

摘要

本发明公开了位于覆有扩散阻障层的基板上之半导体组件及其制作方法。该半导体组件包含一金属基板、一位于该金属基板上的扩散阻障层、一位于该扩散阻障层上的绝缘层以及一位于该绝缘层上的半导体层。该方法包含在该金属基板上形成一扩散阻障层、在该扩散阻障层上形成一绝缘层以及在该绝缘层上形成一半导体层。这类覆有扩散阻障层的金属基板可避免其金属原子扩散进入形成于其上的半导体组件中。

主权项

一种组件，包含：一金属基板，其包含铁、铬、镍、钼、铌、钴以及/或者钛；一或多个位于该金属基板上的扩散阻障层，其中，至少一个所述扩散阻障层包含公式TiXNY或TiaAlbNc的化合物，其中x与y的比值从3:4至3:2，其中的（a +b）与c的比例为从3：4至3:2，所述一个或多个扩散阻障层总厚度介于300 埃至小于1000 埃之间；一或多个位于该扩散阻障层上的绝缘层，该绝缘层使得所述扩散阻碍层与电装置绝缘，在该绝缘层上随后形成电装置特征；和一位于该绝缘层上的半导体层，其中，该半导体层包括硅。