[发明专利]用于构形半导体基板的表面的方法和用于实施该方法的装置无效
| 申请号： | 201080023242.2 | 申请日： | 2010-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN102449730A | 公开（公告）日： | 2012-05-09 |
| 发明（设计）人： | 吉绍·黑恩;黑尔格·哈弗坎普;乔斯·内斯特·希梅劳-基耶夫拉斯 | 申请（专利权）人： | 康斯坦茨大学 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/306 |
| 代理公司： | 北京市隆安律师事务所 11323 | 代理人： | 权鲜枝 |
| 地址： | 德国康*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明提出了一种用于构形半导体基板的表面的方法。其中，用蚀刻半导体基板材料的蚀刻溶液蚀刻上述表面，其中将润湿剂添加到蚀刻溶液，该润湿剂含有水溶性聚合物，特别是以聚乙烯醇的形式。其中，与常规构形方法相比可增加蚀刻溶液的工艺温度，其结果是减少了工艺时间。简化了工艺指导并增加了工艺稳定性。用于实施该方法的合适的构形装置除了具有用于容纳蚀刻溶液(7)的水槽(6)和用于将蚀刻溶液(7)加热到至少85℃的加热器(9)之外，还具有用于排空水槽(6)的蚀刻溶液的可选择性地加热的排空装置(12)、用于从蚀刻溶液(7)去除结晶的水溶性聚合物的去除装置(14，15)以及用于循环蚀刻溶液的循环装置(18)。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 构形 半导体 表面 方法 实施 装置 | ||
【主权项】：
一种用于构形半导体基板(3)的表面的方法，包括：用蚀刻溶液(7)蚀刻上述表面，其中上述蚀刻溶液含有蚀刻半导体基板材料的蚀刻物质，其中上述蚀刻溶液另外含有包含了聚合度高于1000的水溶性聚合物的润湿剂。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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