[发明专利]占用传感器

摘要

一种用于制作传感器装置（100；200；300；400）的方法，该传感器装置包括一起整合在一个半导体载体（10）中的热传感器（23）、蓄电池（33）、天线（34）、电子电路系统（22）和太阳能电池（43），该方法包括下述步骤：提供硅晶片（10），其具有两个主表面（11、12）；在一个主表面（11）中制作第一功能层（20），其包括热传感器部分（21）并且包括与该热传感器部分按照不交叠关系布置的电子电路系统（22）；与该热传感器部分按照不交叠关系布置第二功能层（30），其包含蓄电池（33）和天线（34）；与该热传感器部分按照不交叠关系布置第三功能层（40），其含有一个或多个太阳能电池（43）；移除该传感器部分（21）下方的部分晶片。

主权项

一种用于制作传感器装置（100；200；300；400）的方法，该传感器装置包括一起整合在一个半导体载体（10）中的热传感器（23）、蓄电池（33）、天线（34）、电子电路系统（22）和太阳能电池（43），该方法包括下述步骤：提供具有晶片主体（13）的硅晶片（10），该晶片主体具有两个相对的、相互平行的主表面（11、12）；在第一处理阶段，在所述主表面其中之一（11）中或上制作第一功能层（20），该第一功能层包括具有至少一个热传感器（23）的热传感器部分（21），以及制作包括与该热传感器部分（21）按照不交叠关系布置的电子电路系统（22）的功能层（20）；在该第一处理阶段之后的第二处理阶段，制作具有与该热传感器部分（21）按照不交叠关系布置的材料部分（32）的第二功能层（30），该材料部分（32）含有蓄电池（33）和天线（34）；在该第一处理阶段之后的第三处理阶段，制作具有与该热传感器部分（21）按照不交叠关系布置的材料部分（42）的第三功能层（40），该材料部分（42）含有一个或多个太阳能电池（43）；在该第三处理阶段之后的第四处理阶段，移除该热传感器部分（21）下方的部分的晶片主体（13），从而产生凹部（14），该凹部具有从底表面（12）侧到达该第一功能层（20）中的该热传感器部分（21）的深度。