[发明专利]半导体基板、光电转换器件、半导体基板的制造方法和光电转换器件的制造方法

摘要

本发明提供一种半导体基板，具有：含硅的基底基板，和形成在基底基板上，具有露出基底基板表面的开口，用于阻碍结晶生长的阻碍体、和接触被露出于开口内部的基底基板表面，形成在开口内部的光吸收构造体，光吸收构造体具有第1半导体和第2半导体，所述第1半导体包含：第1传导型第1半导体、形成在第1传导型第1半导体的上方，具有与第1传导型第1半导体相反的传导型的第2传导型第1半导体、以及形成在第1传导型第1半导体和第2传导型第1半导体之间，有效载流子浓度比第1传导型第1半导体及第2传导型第1半导体更低的低载流子浓度第1半导体；所述第2半导体包含：与第2传导型第1半导体晶格匹配或准晶格匹配且具有与第2传导型第1半导体相反的传导型的第1传导型第2半导体、以及形成第1传导型第2半导体的上方，具有与第1传导型第2半导体相反的传导型的第2传导型第2半导体、形成在第1传导型第2半导体和第2传导型第2半导体之间且有效载流子浓度比第1传导型第2半导体及第2传导型第2半导体更低的低载流子浓度第2半导体。

主权项

一种半导体基板，具有：含硅的基底基板，阻碍体，形成在所述基底基板上，具有露出所述基底基板表面的开口，用以阻碍结晶生长，以及光吸收构造体，与在所述开口内部露出的所述基底基板表面相接，形成在所述开口内部；其中，所述光吸收构造体具有第1半导体和第2半导体，所述第1半导体包含：第1传导型第1半导体、形成在所述第1传导型第1半导体的上方，具有与所述第1传导型第1半导体相反的传导型的第2传导型第1半导体、以及形成在所述第1传导型第1半导体和所述第2传导型第1半导体之间，有效载流子浓度比所述第1传导型第1半导体及所述第2传导型第1半导体更低的低载流子浓度第1半导体；所述第2半导体包含：与所述第2传导型第1半导体晶格匹配或准晶格匹配且具有与所述第2传导型第1半导体相反的传导型的第1传导型第2半导体、以及形成在所述第1传导型第2半导体的上方，具有与所述第1传导型第2半导体相反的传导型的第2传导型第2半导体、以及形成在所述第1传导型第2半导体和所述第2传导型第2半导体之间且有效载流子浓度比所述第1传导型第2半导体及所述第2传导型第2半导体更低的低载流子浓度第2半导体。