[发明专利]抑制放射性物质沉积的方法和系统有效
| 申请号： | 201080023836.3 | 申请日： | 2010-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN102449705A | 公开（公告）日： | 2012-05-09 |
| 发明（设计）人： | 矢板由美;福松辉城;青井洋美;闰间裕 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | G21D1/00 | 分类号： | G21D1/00;C23C24/00;G21D3/08;G21F9/00;G21F9/28 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 苗征;于辉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了抑制放射性物质沉积的方法和系统。通过氧化物膜除去步骤和钛氧化物沉积步骤有效抑制放射性物质，在所述氧化物膜除去步骤中，除去金属材料表面上的氧化物膜，所述金属材料表面与含有放射性物质的冷却剂接触，在所述钛氧化物沉积步骤中，在已除去所述氧化物膜之后，在所述金属材料表面上沉积钛氧化物。 | ||
| 搜索关键词： | 抑制 放射性 物质 沉积 方法 系统 | ||
【主权项】：
抑制放射性物质沉积的方法，其包括以下步骤：除去金属材料表面上的氧化物膜，所述金属材料表面与含有放射性物质的冷却剂接触；和除去所述氧化物膜之后，在所述金属材料表面上沉积钛氧化物。
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