[发明专利]原位等离子体/激光混合技术有效

专利信息
申请号: 201080024186.4 申请日: 2010-05-03
公开(公告)号: CN102450108A 公开(公告)日: 2012-05-09
发明(设计)人: 普拉万舒·S·莫汉蒂;尼古拉斯·安东·莫罗兹 申请(专利权)人: 密执安州立大学董事会
主分类号: H05H1/24 分类号: H05H1/24;G21K5/00;H05G2/00
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 蔡胜有;王春伟
地址: 美国密*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 发明涉及用于在靶上形成层的方法和设备。所述设备和方法采用直流等离子体设备来使用包含前体的等离子体射流形成至少一个层。在一些实施方案中,所述直流等离子体设备将前体轴向注射穿过阴极(呈上游和/或下游构造)和/或轴向注射到阳极的下游。在一些实施方案中,所述直流等离子体设备可以包括激光源,其用于使用激光束重熔所述层以实现其原位致密化。
搜索关键词: 原位 等离子体 激光 混合 技术
【主权项】:
一种直流等离子体设备,包括:壳;设于所述壳中的阴极;一般设置为与所述阴极相邻的环形通道,所述环形通道配置为流体传输等离子气体;阳极,其可操作地设置为与所述阴极相邻,以允许它们之间的电连通足以点燃所述等离子气体中的等离子体射流;包含前体材料的前体源;延伸穿过所述阴极的至少一部分的前体出口管,所述前体出口管终止于至少一个开口,所述至少一个开口相对于所述阴极的尖端偏置,以一般防止所述前体材料沉积在所述阴极的所述尖端处,其中所述等离子体射流能够夹带、熔化以及沉积至少一些所述前体材料到靶上。
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