[发明专利]光电转换元件，其制备方法，光传感器，成像装置及其驱动方法

摘要

本发明提供一种光电转换元件，其能够当将具有特定结构的化合物用于光电转换元件时起着光电转换元件的作用，使元件显示出低暗电流并且即使当热处理元件时也减小暗电流增加的范围，并且提供一种配备有该光电转换元件的成像装置。一种光电转换元件，所述光电转换元件具有光电转换膜，所述光电转换膜被夹在透明导电膜与导电膜之间，并且含有光电转换层和电子阻挡层，其中所述电子阻挡层包含具有含三个以上环结构的取代氨基作为取代基的化合物。

主权项

1.一种光电转换元件，所述光电转换元件具有光电转换膜，所述光电转换膜被夹在透明导电膜与导电膜之间，并且包含光电转换层和电子阻挡层，其中所述电子阻挡层包含由下式(F-1)表示的化合物：其中R₁₁至R₁₈以及R′₁₁至R′₁₈的每一个独立地表示氢原子，卤素原子，烷基，芳基，杂环基，羟基，氨基或巯基，它们可以进一步具有取代基，R₁₅至R₁₈的任何一个通过单键与R′₁₅至R′₁₈的任何一个连接，A₁₁和A₁₂的每一个独立地表示由下式(A-1)表示的取代基并且作为R₁₁至R₁₄和R′₁₁至R′₁₄的任何一个进行取代，并且每一个Y独立地表示碳原子，氮原子，氧原子，硫原子或硅原子，它们可以进一步具有取代基；式(A-1)：其中Ra₁至Ra₈的每一个独立地表示氢原子，卤素原子，烷基，芳基或杂环基，它们可以进一步具有取代基，*表示结合位置，Xa表示单键，氧原子，硫原子，亚烷基，亚甲硅基，亚烯基，亚环烷基，亚环烯基，亚芳基，二价杂环基或亚氨基，它们可以进一步具有取代基，每一个S₁₁独立地表示下列取代基(S₁₁)并且作为Ra₁至Ra₈的任何一个进行取代，并且每一个n独立地表示0至4的整数；取代基(S₁₁)：其中R₁至R₃的每一个独立地表示氢原子或烷基。